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NTB5605P, NTBV5605
2400
2200
2000
V DS = 0 V
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
8
7
V DS
60
1800
6
45
1600
1400
1200
1000
800
C rss
C iss
5
4
3
Q GS
Q T
Q DS
V GS
30
600
2
15
400
200
C rss
C oss
1
I D = ? 17 A
T J = 25 ° C
0
10
5 ? V GS 0 ? V DS 5
10
15
20
25
0
0
4
8
12
0
16
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE
(VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
1000
20
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
100
t r
t f
t d(off)
15
10
10
1
1
t d(on)
10
V DD = ? 30 V
I D = ? 17 A
V GS = ? 5.0 V
100
5
0
0
0.25
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
? V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
1000
100
V GS = ? 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
400
350
300
I D = ? 15 A
250
10
dc
10 ms
1 ms
200
150
25
1
0.1
0.1
R DS(on) Limit
Thermal Limit
Package Limit
1
100 m s
10 m s
10
100
100
50
0
50
75
100
125
150
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
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